JXC Precision Ceramics Co., Ltd possui experiência reconhecida no campo de soluções personalizadas de componentes cerâmicos de alta tecnologia, como BN, B4C, AlN. Oferecemos uma ampla gama de barcos de evaporação de alto desempenho para a indústria de galvanização, componentes cerâmicos de precisão BN, B4C, AlN na indústria de galvanização, indústria médica, eletrônica, energia nuclear, geração de energia de petróleo e gás. Desde a sua criação em 1999, passamos por três estágios de desenvolvimento contínuo e temos fortalecido constantemente nossas capacidades cooperativas de pesquisa e desenvolvimento com base em produtos estáveis para fornecer aos clientes designs e produtos mais profissionais.
Por que nos escolher
Experiência rica
No campo de prensagem a quente a vácuo e preparação de sinterização de nitreto de boro, carboneto de boro, cerâmica de nitreto de alumínio, acumulamos profunda experiência de produção e estamos orgulhosos de ter uma equipe de elite composta por muitos especialistas e técnicos seniores da indústria.
Excelente equipe
Nossa empresa possui fortes capacidades técnicas, incluindo 2 engenheiros seniores, 3 engenheiros profissionais e mais de 50 técnicos de vários tipos. Nossa equipe de pesquisa é composta por 3 professores e 6 estudantes de doutorado, cujos conhecimentos e capacidades de pesquisa fornecem uma base sólida para nossa inovação tecnológica e desenvolvimento de produtos.
Nossas patentes
Além disso, nossa empresa detém atualmente 4 patentes relacionadas a materiais cerâmicos de nitreto de boro, carboneto de boro e nitreto de alumínio. Estas patentes não só demonstram o nosso profundo conhecimento técnico neste campo, mas também fornecem uma base sólida para lançarmos continuamente produtos inovadores e satisfazermos as necessidades dos clientes.
Equipamento Avançado
Nossa oficina de produção não só possui equipamentos de produção avançados e métodos de inspeção precisos, mas também enfatiza a limpeza e a ordem do ambiente da oficina e a implementação de uma gestão enxuta.
O H-BN possui estrutura em camadas semelhante ao grafite, apresentando bom isolamento elétrico, condutividade térmica e estabilidade química, podendo manter essas propriedades em altas temperaturas.
Apresentando excelente condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica, o AlN é um excelente material para resistência ao choque térmico.
O diboreto de titânio (TiB₂), como material de alto desempenho, existe como um pó cinza ou preto acinzentado com estrutura cristalina hexagonal. Possui um ponto de fusão de 2.900 graus, uma dureza (HV) de 34GPa e uma densidade de 4,52.
O nitreto de alumínio (AlN) é um cristal atômico pertencente aos nitretos semelhantes ao diamante, que pode manter a estabilidade até 2.200 graus. Apresenta alta resistência à temperatura ambiente e sua resistência diminui relativamente lentamente com o aumento da temperatura. Apresentando excelente condutividade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica, o AlN é um excelente material para resistência ao choque térmico. Sua forte resistência à erosão do metal fundido o torna um material de cadinho ideal para fundir e fundir ferro puro, alumínio ou ligas de alumínio. Além disso, o AlN é um isolante elétrico com boas propriedades dielétricas, apresentando potencial promissor para uso como componentes elétricos. Um revestimento de AlN em superfícies de arsenieto de gálio pode protegê-lo da implantação iônica durante o recozimento.
Benefícios do pó de nitreto de alumínio
Alta condutividade térmica
Conduzir o calor para longe de forma eficiente de componentes eletrônicos de alta corrente ou alta potência para evitar seu superaquecimento e melhorar o ciclo de vida e a confiabilidade de todos os componentes eletrônicos é a principal vantagem.
Isolamento elétrico
Excelentes propriedades de isolamento das placas de circuito de alumina são aplicadas quando componentes de alta tensão são incorporados em uma placa de circuito impresso com distância mínima entre si. O isolamento é melhor que o fr4 ou outros materiais de silício.
Estabilidade de expansão térmica
O coeficiente térmico é baixo e a propriedade é de expansão menor sob estresse térmico para pó de nitreto de alumínio. Isso pode ser usado junto com o silício e fazer com que outros produtos semicondutores funcionem em condições ideais.
Durabilidade
A natureza robusta do pó de nitreto de alumínio proporciona estabilidade mecânica e química, garantindo a longevidade do desempenho e confiabilidade do produto em ambientes automotivos, aeroespaciais ou médicos.
Não toxicidade
A natureza não tóxica do pó de nitreto de alumínio auxilia na fabricação e no manuseio com facilidade.
Tipos de pó de nitreto de alumínio
PCB de nitreto de alumínio e cobre de ligação direta
O filme de cobre ou camada de cobre é diretamente ligado ao substrato cerâmico de nitreto de alumínio usando o forno de alta temperatura. Esta camada de cobre é imprensada com o substrato com um isolante dielétrico entre eles. A camada de cobre é gravada na fase posterior para formar circuitos eletrônicos.
PCB de nitreto de alumínio de filme espesso
Se o substrato de nitreto de alumínio for revestido com material condutor espesso, como prata (Ag) ou ouro (Au), para formar uma camada condutora. Esta camada é gravada, mas pode ser usada apenas para aplicações de condução de corrente de baixa potência ou médio nível.
Materiais de substrato e materiais de embalagem
Com o desenvolvimento vigoroso da microeletrônica e da tecnologia de semicondutores, os dispositivos semicondutores de potência de corrente precisam ter alta tensão, alta corrente, alta densidade de potência, tamanho pequeno e outras características ao mesmo tempo. A densidade do fluxo de calor dos substratos eletrônicos aumentou significativamente e a manutenção de um ambiente operacional estável dentro do equipamento tornou-se um foco.
Mandril eletrostático para processamento de wafer
O processo de processamento de wafer nos processos modernos de fabricação de semicondutores envolve vários processos. Os wafers precisam ser transferidos entre centenas de equipamentos de processo, portanto, é necessário um dispositivo para prendê-los. O mandril eletrostático pode fixar o wafer por meio de adsorção eletrostática. A força de adsorção é uniforme e estável. O wafer não deforma e não se deforma, garantindo a precisão do processamento e a limpeza do wafer. A atual tecnologia comum de mandril eletrostático usa principalmente cerâmica de alumina ou cerâmica de nitreto de alumínio como material principal. Para o processamento comum de wafer de silício, alumina ou safira de alta pureza podem atender aos requisitos.
Material de substrato
O cristal AlN é um substrato ideal para materiais epitaxiais GaN, AlGaN e AlN. Comparados com substratos de safira ou SiC, AlN e GaN apresentam maior correspondência térmica e compatibilidade química, e menos tensão entre o substrato e a camada epitaxial. Portanto, quando o cristal AlN é usado como substrato epitaxial de GaN, ele pode reduzir bastante a densidade do defeito no dispositivo, melhorar o desempenho do dispositivo e ter boas perspectivas de aplicação na preparação de alta temperatura, alta frequência e alta -dispositivos eletrônicos de potência. Além disso, o uso do cristal AlN como substrato de material epitaxial AlGaN com alto componente de alumínio (Al) também pode reduzir efetivamente a densidade do defeito na camada epitaxial de nitreto e melhorar significativamente o desempenho e a vida útil dos dispositivos semicondutores de nitreto. Detectores de persianas solares de alta qualidade baseados em AlGaN foram utilizados com sucesso.
Materiais de filme fino
Devido ao amplo gap de banda do AlN, forte polarização e largura de bandgap de 6,2eV, o material de película fina de nitreto de alumínio preparado por ele tem muitas propriedades físicas e químicas excelentes, como alta resistência do campo de ruptura, alta condutividade térmica, alta resistividade e alta Devido à sua estabilidade química e térmica, além de boas propriedades ópticas e mecânicas, é amplamente utilizado como meio de isolamento e material isolante em embalagens de dispositivos eletrônicos e circuitos integrados. O filme AlN de alta qualidade também possui características de velocidade de transmissão ultrassônica extremamente alta, pequena perda de onda acústica, considerável constante de acoplamento piezoelétrico e coeficiente de expansão térmica semelhante ao Si e GaAs.
Propriedades do pó de nitreto de alumínio
Condutividade Térmica
A incrível condutividade térmica varia de 120 a 200W/mK. Esta propriedade do PCB de nitreto de alumínio ajuda no gerenciamento térmico em aplicações como RF/microondas ou dispositivos de comutação de alta potência.
Expansão Térmica
A expansão térmica é baixa quando comparada com materiais de silício semelhantes. O coeficiente de expansão térmica é CTE< 4ppm/C which reduces the failure of components as the dielectric strength is also higher.
Isolamento Elétrico
A cerâmica por natureza possui excelentes propriedades de isolamento que garantem a ausência de vazamento elétrico e isolam componentes eletrônicos com 10 ^ 12 a 10 ^ 13 ohms centímetros. Isso também garante a integridade do sinal em aplicações de alta tensão e alta corrente.
Propriedades Dielétricas
A constante dielétrica é baixa e varia de 8,5 a 10 e sua baixa perda dielétrica é preferível no projeto de aplicações eletrônicas de alta frequência e alta velocidade.
Resistência à temperatura
The operating temperatures can be as high as>350 graus Celsius. O ponto de fusão da placa de circuito de alumina é superior a 2.000 graus Celsius, pois também mantém a estabilidade estrutural em temperaturas mais altas.
Como escolher o pó de nitreto de alumínio
Efeitos de expansão térmica
Ao anexar matrizes ou componentes grandes ao pó de nitreto de alumínio, considere as características de expansão térmica da placa e dos componentes. Coeficientes de expansão térmica incompatíveis podem resultar em estresse mecânico e problemas de confiabilidade.
Vias térmicas
Melhore o gerenciamento térmico colocando estrategicamente vias térmicas sob dispositivos quentes. Essas vias ajudam a dissipar o calor de forma eficiente através da placa de circuito impresso.
Aviões terrestres
Os planos terrestres podem melhorar ainda mais o desempenho de alta frequência, reduzindo a interferência do sinal e melhorando a integridade do sinal. Incorpore planos de aterramento quando necessário, especialmente em aplicações de RF e micro-ondas.
Comportamento e processos materiais
Compreender o comportamento de todos os materiais durante os processos de fabricação e procedimentos de montagem. Este conhecimento é crucial para garantir a confiabilidade e o desempenho do pó de nitreto de alumínio.
Considerações de alta frequência
Preste atenção especial ao roteamento de sinais de alta frequência, controle de impedância e minimização de perdas de sinal. O pó de nitreto de alumínio é excelente em aplicações de alta frequência, portanto, otimize o layout adequadamente.
Gerenciamento térmico
O pó de nitreto de alumínio é conhecido por sua condutividade térmica superior. Aproveite esta propriedade projetando mecanismos eficientes de dissipação de calor, especialmente em aplicações com componentes de alta potência.
Fabricação de substrato
O pó de AlN é formado em um tarugo por meio de prensagem isostática a frio (CIP). Este processo envolve a compressão do pó de AlN em uma forma cilíndrica densa usando pressão hidráulica. Materiais aglutinantes são adicionados ao pó de AlN para facilitar o manuseio do material durante a modelagem e sinterização. atmosfera. A sinterização funde as partículas de pó de AlN, criando um substrato cerâmico totalmente denso com excelentes propriedades térmicas. A placa de AlN é retificada com precisão e polida até a espessura especificada, garantindo uma superfície lisa e uniforme para processamento posterior.
Metalização
Pastas de filme espesso contendo materiais como tungstênio ou molibdênio são impressas em tela no substrato de AlN para criar traços de circuito. Esses materiais de película espessa são conhecidos por sua durabilidade e capacidade de suportar altas temperaturas. Metais de película fina, como cobre ou ouro, também podem ser depositados no substrato usando técnicas como pulverização catódica ou chapeamento. Substrato AlN, garantindo uma conexão elétrica confiável.
Acúmulo multicamadas
Para PCBs complexos, vários substratos de AlN (placas dupla-face) podem ser empilhados e laminados usando filmes adesivos. Isso permite a criação de PCBs multicamadas. Vias e furos passantes são perfurados a laser através das camadas empilhadas e preenchidos com pastas condutoras, criando conexões elétricas entre as camadas. opções de roteamento adicionais.
Integração Habitacional
Os substratos de AlN são adequados para ligação direta em embalagens herméticas, onde os componentes eletrônicos são selados para proteção. Selantes como epóxi, materiais de brasagem ou vidro podem ser usados para criar vedações herméticas, garantindo a integridade dos componentes eletrônicos fechados.
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Certificado
Perguntas frequentes
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